如需了解价格货期等具体信息,欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言,留言会被吞,收不到留言。 PIC18F26K42-I/SS 产品概述 PIC18F26K42-I/SS
2025-02-10 20:27 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO252- **器件配置**:单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**:40V- **栅极-源极
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
描述PIC18F66K80是一款集成ECAN的高性能8位MCU,具有极低的功耗。PIC18F66K80的新特性包括适用于低功耗应用的低休眠电流、适用于汽车、楼宇控制、电梯控制和工业应用的1.8V至
2024-03-20 16:19 深圳芯领航科技有限公司 企业号
,适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号:5865NG-VB**- **封装类型:TO252**- **配置:单N沟道**- **漏源电压 (VDS):60V**- **栅源电压 (VGS):±20V**- **
2024-11-14 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号**: 5803NG-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **最大漏源电压 (VDS)**: 40V- **最大栅源电压
2024-11-14 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号
FT32F030x 产品简介 : FT32F0XX使用高性能的ARM Cortex-M0 32位的RISC内核,最高工作频率为72MHz。内置高速存储器(高达64k字节的闪存和8
2021-12-10 10:26 FMD 辉芒微一级代理 企业号