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型号：4969<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技术，封装为TO252。该MOSFET具有低导

2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：LQG15HN33<b class='flag-s-7'>NG02D</b> 品牌：

村田高频电感LQG15HN33NG02D_0402 33nH 300mA详细参数：L尺寸1.0 ±0.05mmW尺寸0.5 ±0.05mmT尺寸0.5 ±0.05mm尺寸代码 in inch (mm

2024-09-28 14:55 谷京科技代理村田TDK贴片电容 企业号

型号：5805<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性能的应用场

2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4854<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征

2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4865<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中，具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽（Trench

2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：LQG15HN39<b class='flag-s-7'>NG02D</b> 品牌：

村田贴片电感LQG15HN39NG02D_0402 39nH 250mA详细参数：L尺寸1.0 ±0.05mmW尺寸0.5 ±0.05mmT尺寸0.5 ±0.05mm尺寸代码 in inch (mm

2024-09-28 14:13 谷京科技代理村田TDK贴片电容 企业号

型号：5802<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压（40V）和高电流处理能力

2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5407<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电压（40V）和高电流处理能力

2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4860<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4860NG-VB MOSFET 产品简介4860NG-VB 是一款高性能的单通道（Single-N-Channel）MOSFET，采用先进的沟槽（Trench）技术，封装为TO252。这款

2024-11-12 11:46 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4913<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4913NG-VB MOSFET产品简介4913NG-VB是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用TO252封装。它具有低导通电阻、高电流承载能力和优秀的开关特性，适用于需要

2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号