FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56
UTC 4N60是一个高电压MOSFET ，并设计成有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中的应用， PWM马达控制，高高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
2019-05-14 15:08
主要介绍L298N中文资料汇总_L298N引脚图及功能_工作原理_特性参数及典型驱动电路。L298N是专用驱动集成电路，属于H桥集成电路。
2017-12-11 16:48
本文为大家带来电子管6N8P参数及特性曲线图。
2018-01-12 17:18
本文主要介绍了6n137和6n136有什么区别_6N137和6N136的使用，6N136的结构原理：信号从脚2脚3 输入
2018-03-29 17:06
Nanodcal软件通过虚晶近似（Virtual Crystal Approximation，VCA）的方法实现半导体的n型或者p型掺杂。为了确保Si在中心区域的长度大于耗尽层的宽度，选用一个较长的n型掺杂NiSi2-Si器件进行输运
2022-09-07 16:38
晶扬电子作为国内业内著名的“电路与系统保护专家” ，生产的2N7002KX型N沟道MOSFET管，因其优良的性能和广泛的应用领域而备受关注。本文将深入介绍2N7002KX的技术
2024-09-10 17:30
电路以及功率电子应用中得到广泛应用，具体包括逻辑门电路、放大器、开关电源、驱动电路等。N沟道制作的MOS管由P型衬底和两个高浓度P扩散区构成，管子导通时在两个高浓度N扩散区间形成N型导电沟道。本期，合科泰给大家介绍一
2024-09-13 09:20
2n3904和2n3906都属于三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。2n3904和2n3906的主要区别在于晶体管的类型即PNP和N
2017-11-10 16:47
高速6N137光耦合器的速度典型值为10MBdS，也就是说6n137速度额定值是 10 Mbps，但是不同的型号的6N13x光耦合器它的速度又是不一样的。6N137、6
2017-08-26 20:00
