DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,
2010-10-21 09:06
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,0
2010-11-24 09:47
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,
2010-12-07 10:21
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排
2010-11-24 09:53
DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,2
2010-10-21 09:03
DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟，都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于
2010-10-22 08:55
本电路采用电压调整器TL431A，首先生成2.495V的基准电压，再经过同相放大生成3.3V电压，为保证3.3V电源的带载能力，后增加一功率三极管，这样3.3V电源电流
2023-03-27 11:50
介质用于各种应用，包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。富士通代理英尚微介绍富士通半导体128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52
