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2024-10-26 16:32 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**SM3095PSD-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管，具有-30V的漏极-源极电压承受能力和-5.8A的漏极电流承受能力。采用SOT89-3封装，适合于小型电路板和紧凑
2024-06-14 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号
，P1dB 13 至 19 dBm，P1dB 0.019 至 0.07 W。标签：驱动放大器，低噪声放大器。APM-6848PA 的更多详细信息见下文。产品规格产
2023-05-06 14:48 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
，噪声系数为 4.8 dB，P1dB 10 至 16 dBm，P1dB 0.001 至 0.003 W。标签：驱动放大器，低噪声放大器。APM-7098PA 的更多详细信
2023-05-06 14:51 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
如需咨询请点击左侧关于页面，然后电联（ 切记不要留言 不要留言 留言 留言看不到无法沟通） APM-7098CH 产品概述APM-7098CH 是一款宽带分布式低相位噪声 LO 驱动放大器
2024-10-18 19:41 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### APM9935KC-TRL-VB 产品简介APM9935KC-TRL-VB 是一款双 P 通道 MOSFET，封装形式为 SOP8。此 MOSFET 采用先进的沟道技术，专为负电
2024-12-31 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号
下面是关于VBsemi品牌的APM4053PUC-TRL-VB P-Channel沟道场效应管的详细信息：### 产品简介APM4053PUC-TRL-VB是VBsemi生产的高性能
2024-05-28 14:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### APM2315AC-VB MOSFET 产品简介APM2315AC-VB 是一款单P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOT23-3封装。该器件具有-30V的漏源电压
2024-12-27 16:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、APM9435KC-VB 产品简介APM9435KC-VB 是一款高效能的单P沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为SOP8。该器件具有-30V的漏源电压 (VDS
2024-12-31 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
APM2603C-VB 是一款单 P 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，封装为SOT23-6。该器件适用于负极源驱动应用，具有低导通电阻和适中的漏极电流能力，适合要求高效能和稳定性能的电路设计
2024-12-30 16:32 微碧半导体VBsemi 企业号
