40VP-ChannelPowerTrench®MOSFET–40V,–45A,14mΩFeaturesMaxrDS(on)=14mΩatVGS=–10V,ID=–45AMaxrDS(on)=20mΩatVGS=–4.5V,ID=–30A
2022-01-06 13:41 深圳市百域芯科技有限公司 企业号
缺点是通态电阻大、导通压降高、耐压和电流容量较难提高等。一、结构特性1、结构原理场效应管有垂直导电与横向导电两种结构，根据载流子的性质，又可分为N沟道和P沟道两种类型v功率场效应管几乎都是由垂直导电
2018-01-29 11:04
将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P
2021-05-13 06:33
（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS
2021-05-13 06:40
一、CK9561典型应用电路CK9561工作电压：3V单音报警芯片正视图，左接地，中信号输出接NPN三极管，右接正与喇叭。
2021-04-14 06:36
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30
LED驱动器开关电源控制电路P1014AP06资料下载内容包括：P1014AP06功能和特点P1014AP06引脚功能P1014AP06内部方框图
2021-04-19 06:34
概述：CN2305是上海如韵电子出品的一款P沟道增强型功率MOSFET，它采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低栅极电荷和低工作电压，栅极电压可低至2.5V。CN2305适合用于电池保护，或PWM开关中的应用。
2021-04-13 06:46
`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 采用带散热片的 SOP8 封装`
2011-05-17 10:57
HFC9561A是一款四声报警集成电路，系CMOS大规模集成电路，工作时可发出警车声、消防车声、救护车声及机枪 ，由两个选择端SEL1和SEL2的不同接法进行变换。主要应用于各类报警器，玩具，仪器等。它的工作温度范围是-10～+60摄氏度。
2021-05-20 07:27
