度。AP8851L 芯片包含每周期的峰值限流、软启动、过压保护和温度保护，带 VIN 分压采样电压输出。使能控制功耗几乎可以忽略，可以大大节省外围元器件。特点&n
2024-01-17 15:52 深圳世微半导体有限公司 企业号
2031-6330-00 （非 RoHS）带状线 180 度。 3 dB 正交微型混合电路是紧凑、坚固耐用的高应力环境组件的终极选择。一侧两个输出位置的交叉特性允许简化系统或
2023-02-03 12:20 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
**NP40N10PDF-VB****丝印：** VBL1104N **品牌：** VBsemi **参数：** TO263；N—Channel沟道, 100V；45A
2024-02-19 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP50L02GH-VB 产品简介AP50L02GH-VB 是一款单通道 N 沟槽型 MOSFET，采用 TO252 封装。它具有极低的导通电阻和高电流承载能力
2024-12-20 16:35 微碧半导体VBsemi 企业号
AP8851L 一款宽电压范围降压型DC-DC 电源管理芯片，内部集成使能开关控制、基准电源、误差放大器、过热保护、限流保护、短路保护等功能，非常适合在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整度
2022-12-02 10:20 深圳市世微半导体有限公司 企业号
### AP50L02S-VB 产品简介AP50L02S-VB是一款高性能的单N-通道MOSFET，采用TO263封装。该型号具备优异的导通电阻和电流处理能力，适合要求
2024-12-20 16:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP50L02P-VB 产品简介AP50L02P-VB是一款高性能、低导通电阻的单N通道MOSFET，封装为TO220。采用先进的Trench技术制造，设计用于
2024-12-20 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详**VBsemi 2N06L11-VB TO262F** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造。该器件具有高电流处理能力和低导通电阻，适用于要求高效率和高
2024-07-11 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
