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### AP01L60AT-VB 产品简介AP01L60AT-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,封装为TO92。该器件具有600V的漏源极电压和1A的连续漏极电流能力,适用于高
2024-12-13 11:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP01L60T-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用Plannar技术。设计用于高电压和低电流的应用场合,具有较高的漏源电压和稳定的电性能。该器件封装为TO92,适合需要
2024-12-13 11:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP01L60H-H-VB 产品简介**型号:** AP01L60H-H-VB **封装:** TO252 **配置:** 单N沟道MOSFET **技术
2024-12-13 11:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP01N60J-VB 产品简介**型号:** AP01N60J-VB **封装:** TO251 **配置:** 单N沟道MOSFET **技术
2024-12-13 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP01L60J-VB 是一款单N沟道场效应管,采用Plannar技术制造,封装形式为TO251。该器件具有高耐压和可靠性,适用于低功率应用和电源管理领域。### 2. 详细
2024-12-13 11:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP01L60J-HF-VB 是一款单路 N 沟道场效应管(N-Channel MOSFET),采用了平面(Plannar)技术。该器件设计用于需要高电压承受能力和低导通电
2024-12-13 11:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**AP01L60H-A-HF-VB**是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,适用于高压应用。该器件采用SJ_Multi-EPI多重外延技术制造,具有较高的漏源电压
2024-12-13 11:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP01N60P-VB 是一款单路 N 沟道场效应管(N-Channel MOSFET),采用了平面(Plannar)技术。该器件设计用于需要高电压承受能力和低导通电流的应用场
2024-12-13 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP60L02GH-VB 产品简介AP60L02GH-VB是一款高性能的单N-通道MOSFET,采用TO252封装。该型号具有高电流处理能力和极低的导通电阻,适用于需要高效能和可靠性的电源
2024-12-20 17:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**AP01N60J-HF-VB**是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO251封装,适用于中高压应用。采用Plannar平面结构技术制造,具有良好的电流控制和热稳定性,适合
2024-12-13 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号