AO4803AAO4803A双P通道增强型场效应晶体管MOS电源控制电路
2019-01-25 08:00
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为
2021-05-24 06:27
是沟道区，n+区是漏区。对于p型TFET来说，p+区是漏区，i区是沟道区，n+区是源区。漏极电压用Vd表示，栅极电压用Vs表示，栅极电压用Vg表示。隧穿场效应晶体管是什
2018-10-19 11:08
。场效应晶体管是防护电压的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道
2019-03-29 12:02
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路，可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路，可选
2021-05-13 07:10
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10
MOS_场效应晶体管
2012-08-20 08:21
MOS场效应晶体管
2012-08-20 08:51
源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，栅极电压UGS＝0时的漏源电流。（2）夹断电压夹断电压UP是指结型或耗尽型
2019-04-04 10:59
的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。3、场效应晶体管双电压应用：在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方
2019-04-16 11:22
