IGBT 650V A
2023-03-27 13:14
AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术,提供低导通损耗和开关损耗,用于多方面的电源应用,包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用,如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。
2019-05-06 14:21
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2019-04-18 23:00
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2019-04-18 23:00
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2019-04-18 23:11
2023-04-06 22:58
Using the novel field stop 4th generation high speed IGBT technology. AFGHL50T65SQD which is AEC
2024-06-20 20:26
RBN50H65T1FPQ-A0 数据表
2023-03-13 19:15
RBN50H65T1FPQ-A0 数据表
2023-07-04 20:33
Using the novel field stop 4th generation high speed IGBT technology. AFGHL50T65SQ which is AEC
2024-06-20 20:26