### AP9980M-VB MOSFET 产品简介AP9980M-VB 是一款高性能的双N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOP8封装。它设计用于中高压应用，具备优异的功率管
2024-12-27 13:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介详述：AP9980GM-VB 是一款双通道 N+N 沟道 MOSFET，采用槽沟技术制造。具有双通道设计和较高的漏极-源极电压能力，适合于需要高电压和中小功率电路设计。该器件
2024-12-27 11:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP9980GH-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，设计用于高电压和高性能的应用场合。其封装为TO252，结合了高耐压和低导通电
2024-12-27 11:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP9980GJ-HF-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，适用于高压和高效能功率管理和开关应用。它具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻，为高
2024-12-27 11:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP9980GJ-VB 是一款单路N沟道MOSFET，采用先进的槽道结构技术，具备高效能和可靠性，适用于需要高电压和高电流承载能力的电子应用。### 详细参数说明- **包装类型
2024-12-27 11:56 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介：AP9980GH-HF-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用 Trench 技术制造。它具有高电压容忍度和优异的导通特性，适用于要求较高功率和可靠性的电子
2024-12-27 11:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详述：AP9980J-VB 是一款单通道 N 沟道场效应管（MOSFET），采用沟道技术，适用于中高功率应用。它具有高达100V的漏极-源极电压（VDS），最大漏极电流（ID）为
2024-12-27 13:56 微碧半导体VBsemi 企业号
格，具体价格请与业务重新确认！规格参数收起订货型号GS8332-MR品牌聚洵产品线运算放大器型号系列GS8332品类运算放大器描述/说明双路运放; 功耗1路IQ:25U
2022-07-16 11:21 深圳市港禾科技有限公司 企业号
### 1. 产品简介详述：AP9980GM-HF-VB是一款双N+N沟道场效应管（MOSFET），采用Trench技术制造。它具有高集成度和优异的电气特性，适合于需要高效能和可靠性的电路
2024-12-27 11:57 微碧半导体VBsemi 企业号
