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型号：<b class='flag-s-7'>9980</b>H-VB 品牌：微碧

### 产品简介详**9980H-VB MOSFET**9980H-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO-252封装，具备高压和高电流处理能力，适合各种要求高功率和可靠性的电源管理和开关

2024-11-26 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9980</b>J-VB 品牌：微碧

### 一、9980J-VB 产品简介9980J-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO251封装，适用于中功率和高功率应用。该器件利用先进的沟槽（Trench）技术，提供优异的导通特性和低

2024-11-26 17:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9980</b>GM-VB 品牌：微碧

### 9980GM-VB MOSFET 产品简介9980GM-VB 是一款双 N+N 通道 MOSFET，采用 SOP8 封装。它支持高达 80V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压

2024-11-26 17:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>9980</b>M-VB 品牌：微碧

### AP9980M-VB MOSFET 产品简介AP9980M-VB 是一款高性能的双N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOP8封装。它设计用于中高压应用，具备优异的功率管

2024-12-27 13:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>9980</b>GM-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介详述：AP9980GM-VB 是一款双通道 N+N 沟道 MOSFET，采用槽沟技术制造。具有双通道设计和较高的漏极-源极电压能力，适合于需要高电压和中小功率电路设计。该器件

2024-12-27 11:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>9980</b>GH-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介AP9980GH-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，设计用于高电压和高性能的应用场合。其封装为TO252，结合了高耐压和低导通电

2024-12-27 11:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9980</b>GJ-VB 品牌：微碧

### 产品简介**9980GJ-VB** 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO251 封装。该型号的 MOSFET 具有 100V

2024-11-26 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>9980</b>GJ-HF-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介AP9980GJ-HF-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，适用于高压和高效能功率管理和开关应用。它具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻，为高

2024-12-27 11:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9980</b>GH-VB 品牌：微碧

### 产品简介9980GH-VB是一款单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术制造，封装形式为TO252。这款MOSFET在100V的漏源电压（VDS）下运行，栅源电压（VGS）最大

2024-11-26 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9980</b>M-VB 品牌：微碧

### 产品简介9980M-VB是一款高性能的双N+N沟道MOSFET，采用SOP8封装。该器件设计优化了功率密度和效能，适用于各种需要高可靠性和高效能的电子应用。### 产品参数- **封装类型

2024-11-26 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号