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AD9540支持多种功能,包括信号合成和低抖动时钟发生,适合各种应用。该器件内置高性能PLL电路,包括灵活的200 MHz鉴频鉴相器和数字控制电荷泵电流。它还可以使低抖动、655
2023-02-13 14:54 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
Analog Devices HMC655LP2E 固定衰减器介绍在现代射频(RF)和微波系统中,信号的质量和稳定性是确保系统高效运行的关键。Analog Devices 的 HMC655
2024-10-31 11:04 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### AUIRF9540N-VB MOSFET 产品简介AUIRF9540N-VB 是一款高电压、高电流处理能力的 P 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,设计用于各种需要高可靠性和高效率
2025-01-04 15:34 微碧半导体VBsemi 企业号
描述HCPL-655K 为采用镀金引脚 16-pin 陶瓷扁平封装的最高可靠性 Class K 四通道密封型光电耦合器。并提供有商用级或完全通过 MIL-PRF-38534 Class Level
2025-01-08 11:12 深圳芯领航科技有限公司 企业号
### 产品简介**AUF9540N-VB**是一款高性能单P沟道MOSFET,采用TO220封装。该MOSFET利用先进的沟槽技术(Trench Technology),具有高耐压和低导通电
2025-01-02 16:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BUK655-450B-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。该器件采用平面技术设计,具有较高的导通电阻和较低的电流处理能力,但在高压应用中表
2025-01-15 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**产品型号:2SJ655-VB****封装类型:TO220F****配置:单一P沟道****技术:Trench****主要特点:**- **VDS(漏源电压):** -100V-
2024-07-16 11:41 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介:**FDC655AN-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管,具有30V的漏极-源极电压承受能力,最大漏极电流为6A,漏极-源极电阻在10V下为30mΩ。该器件的门极-源极电压
2024-05-30 17:51 微碧半导体VBsemi 企业号
**NP40N10PDF-VB****丝印:** VBL1104N **品牌:** VBsemi **参数:** TO263;N—Channel沟道, 100V;45A
2024-02-19 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介FDC655BN-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道功率MOSFET,采用SOT23-6封装。具有30V的电压极限、6A的电流极限以及低导通电阻,适用于各种需要高性能功率
2024-05-30 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号