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  • IBM研制出9nm晶体芯片

    IBM目前官方宣布已经发展低于10nm以下的9nm制程电晶体技术,并以碳元素为主要材质。

    2012-02-09 09:50

  • 新式TII技术可望微缩超越9nm

    最新的「倾斜离子注入」(TII)制程据称能够实现比当今最先进制程更小达9nm的特征尺寸... 最新的「倾斜离子注入」(TII)制程据称能够实现比当今最先进制程更小达9nm的特征尺寸... 美国柏克莱

    2017-02-08 01:52

  • 拯救摩尔定律 IBM 9nm工艺碳纳米晶体管

    根据最新消息,IBM成功利用碳纳米材料,在单个芯片上集成了上万个9nm制程工艺的晶体管,相信大家对于著名的摩尔定律都略知一二,但是随着集成电路晶体管尺寸越来越小,CPU内存等

    2012-11-08 10:28

  • 突破! 中国造出9nm光刻试验样机!

    诺贝尔化学奖得主德国科学家斯特凡·W·赫尔的超分辨荧光成像的基本原理,在没有任何可借鉴的技术情况下,开拓了一条光制造新的路径。 9nm线宽双光束超衍射极限

    2019-04-19 15:22

  • 我国光刻机实现拐弯超车,终于攻克9nm技术难关

    随着时代的不断变化发展,众多以科技为背景的产业由此崛起,在改变了人们传统生活方式的同时,也对国家和社会的发展起到了积极的促进作用。

    2019-11-20 16:49

  • TII技术可望微缩超越9nm 并降低芯片成本

    美国柏克莱实验室(Berkeley Lab)的研究人员日前发表最新的「倾斜离子注入」(tilted ion implantation,TII)制程,据称能够降低制造先进芯片的成本、缩短研发时间,同时实现比当今最先进制程更小达的9奈米(nm)特征尺寸。

    2017-02-07 11:10

  • 我国成功打破西方的垄断,攻克9nm芯片技术难关

    据知名调研机构Canalys公布的2019第三季度全球智能手机出货量数据显示,华为手机成功赶超苹果,以19%的市场份额位居全球第二。

    2019-12-03 16:29

  • 我国光刻机实现弯道超车,突破了9nm的技术瓶颈

    如今的社会一直在不断的发展之中,有许多互联网作为背景的企业逐渐崛起,尤其是在通信领域这一方面,作为我国通信领域的巨头企业的华为,在第五代通信技术领域上完美实现了弯道超车,目前已经成功跻身进入世界一流的前沿。

    2019-11-28 15:26

  • 我国成功研发出9nm线宽双光束超衍射极限光刻试验样机 打破国外技术垄断

    4月10日记者从武汉光电国家研究中心获悉,该中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制,采用远场光学的办法,光刻出最小9纳米线宽的线段,实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。

    2019-04-16 17:33

  • 伺服电机选型的标准是看电流还是转矩?

    伺服电机选型的标准是看电流还是转矩? 现有一台伺服电机:I0=10A,M0=9NM,Nn=3000rpm. 如果将其改为西门子1FK7伺服电机,选择型号是:1fk7063-5af71-1ta0 是否可行,请指教!谢谢!

    2023-12-25 06:06