### AO9926E-VB 产品简介AO9926E-VB 是一款双N沟道场效应管(MOSFET),适用于低压功率管理和开关电路应用。采用SOP8封装和先进的沟道技术,AO9926E-VB 提供了
2024-12-04 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9926EO-VB 产品简介9926EO-VB 是一款采用先进沟道技术的 MOSFET,具有双 N 沟道共源极配置,适用于需要高效能和可靠性的电子应用。### 9926EO-VB 详细参数
2024-11-26 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
的导通电阻和优异的性能特性。该器件设计用于提供高效的功率管理和热管理能力,适合于需要高性能和可靠性的电路设计。### 二、9926A-VB 型号的详细参数说明|
2024-11-26 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号
和功率开关应用。### 详细参数说明- **型号**: 9926GEO-VB- **封装**: TSSOP8- **配置**: 共栅N+N沟道- **漏源电压 (V
2024-11-26 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号
双通道控制的电路设计。### 9926GO-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**: TSSOP8- **配置**: 双N沟道共漏极- **漏源电压
2024-11-26 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
通特性和低导通电阻,适合高效能量转换和功率管理的应用场合。### AP9926GO-VB 详细参数说明- **封装类型**:TSSOP8- **配置**:共源极双
2024-12-26 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
能力。该器件封装为TSSOP8,适合需要高度集成和空间紧凑的电路设计。### AP9926EO-VB 详细参数说明- **封装类型**: TSSOP8- **配置
2024-12-26 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号
的漏极-源极电压(VDS),能够提供低导通电阻和高电流承载能力,是低压电源管理和负载开关应用的理想选择。### 二、AO9926C-VB 详细参数说明- **封装
2024-12-04 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号
先进的 Trench 技术制造,具有良好的导通特性和低导通电阻,适合在多种电子设备中使用。### AP9926GEO-HF-VB 详细参数说明- **封装类型**
2024-12-26 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号