### 9561AGJ-VB MOSFET 产品简介9561AGJ-VB是一款单P沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，封装形式为TO251。该MOSFET具有负向漏源电压能力和低导通电
2024-11-25 13:56 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9561AGM-HF-VB 产品简介AP9561AGM-HF-VB是一款单P沟道MOSFET，采用SOP8封装。该器件具有负向漏极电压能力，适用于低压电源管理和负载开关应用。利用
2024-12-25 13:41 微碧半导体VBsemi 企业号
产品简介：AP9561GH-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，具有-40V的耐压能力和-65A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V，VGS
2024-05-27 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号
产品简介：AP9561AGH-HF-VB是VBsemi品牌的一款P-Channel沟道场效应管，采用TO252封装。它能够承受最大-40V的负电压，具有高达-65A的电流输出能力。在10V的门源极
2024-05-27 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
型号： AP9561GH-HF-VB 丝印： VBE2412 品牌： VBsemi 详细参数说明：- P沟道- 额定电压：-40V- 额定电流：-65A- 开态
2023-12-13 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
40V P-Channel PowerTrench® MOSFET–40V, –45A, 14mΩFeatures Max rDS(on) = 14mΩ at VGS = –10V, ID = –45A Max rDS(on) = 20mΩ at VGS = –4.5V, ID = –30A
2022-01-06 14:26 深圳市百域芯科技有限公司 企业号
1. **产品简介：** 9560GH-HF-VB 是由 VBsemi 生产的 P-Channel 沟道场效应管。其丝印标识为 VBE2412。该器件采用 TO252 封装，具有优异的性能和稳定性，在各种电子应用场景中得到广泛应用。2. **详细参数说明：** - 额定电压（VDS）：-40V - 额定电流（ID）：-65
2024-05-21 17:43 微碧半导体VBsemi 企业号
