型号 ME9435丝印 VBA2333品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 6A 导通电阻 40mΩ @10V, 54mΩ @4.5V
2023-10-28 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9435S-VB MOSFET#### 一、产品简介9435S-VB 是一款单 P 沟道功率 MOSFET,采用 TO263 封装。该器件具有 -30V 的漏源电压(VDS),最大栅源电压
2024-11-25 11:03 微碧半导体VBsemi 企业号
的热管理性能和稳定的电气特性。### AP9435GJ-VB 详细参数说明- **封装类型**: TO251- **配置**: 单P沟道- **漏源电压 (VDS)*
2024-12-23 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号
要求高效能和可靠性的电源管理和开关应用。### AP9435GP-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO220- **配置**:单P沟道- **漏源电压(VD
2024-12-23 17:28 微碧半导体VBsemi 企业号
的应用。其采用先进的沟槽技术,提供了良好的导通电阻和电流承载能力,是电子设备中的重要功率开关元件之一。### AP9435GK-VB 详细参数说明- **封装形式*
2024-12-23 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
性能和适中的功率密度,适合在各种功率控制和开关应用中提供稳定可靠的性能。#### 二、详细的参数说明- **型号**: 9435H-VB- **封装**: TO252
2024-11-25 10:58 微碧半导体VBsemi 企业号
为 SOT223,适合在紧凑空间内进行功率控制和管理。### AP9435GK-HF-VB 详细参数说明- **封装类型**:SOT223- **配置**:单 P 沟道
2024-12-23 17:22 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。### 详细参数说明- **型号**: 9435GJ-VB- **封装**: TO251- **配置**: 单P沟道- **漏源电压 (VDS)**: -30V- **
2024-11-25 10:45 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。采用沟槽技术(Trench Technology),提供了优异的性能和稳定性。### 二、详细的参数说明- **型号**: 9435GH-VB- **封装**
2024-11-25 10:41 微碧半导体VBsemi 企业号
9435SC-VB是一款高性能P沟道MOSFET,采用先进的Trench技术,设计用于负电压应用,具有低导通电阻和适中的电流承载能力。### 二、详细参数说明- *
2024-11-25 11:02 微碧半导体VBsemi 企业号