，所以光刻机就选择了改变光源，用13.5nm波长的EUV取代193nm的DUV光源，这样也能大幅提升光刻机的分辨率。 在上世纪
2020-07-07 14:22
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的
2021-07-29 09:36
的要求则反过来，我们要确保影像要绝对清晰，就要将对焦点落在光阻上，并且确保光阻绝对不可落到景深范围之外。那ASML的光刻机景深有多大呢？ 所以我们就是要把光阻移到这个100nm的范围之内，是不是有点
2020-09-02 17:38
[td]如题，求smic 90nm 的PDK，用于本科毕设学习，邮箱zbdzjm@163.本来想设定10000，谁知道悬赏价格论坛限定在2000了，咋破？
2021-06-21 07:21
总工艺时长的40%至60%，成本也占整个芯片制造成本的35%。有机光刻胶主要用于90nm到7nm的芯片制造，但随着制程推
2020-03-09 10:13
建成90nm CMOS技术。也就是说，一个晶体管可以小到90纳米的长度。什么是等效尺寸？人的头发大概是那么厚，不管我们使用的洗发水/护发素！想象一下开关（或者晶体管！）那可能只有一根发绺那么宽！这些芯片是保证
2019-07-23 11:58
如果国家以两弹一星的精神投入光刻机的研发制造，结果会怎样？
2020-06-10 19:23
微米之间,此间隙可以大大减少对掩膜版的损伤.接近式暴光的分辨率较低,一般在2~4微米之间,因此接近式光刻机只能装配在特征尺寸交大的集成电路生产线中.接触或接近式光刻机的主要优点是
2012-01-12 10:56
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极 随着科技进步，对电子显微镜的精度要求越来越高。电子直写光刻机的精度与电子波长和电子束聚焦后的焦点直径有关，电子波长可通过增加加速电极电压来减小波长，而电子束聚焦后
2025-05-07 06:03
翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特
2019-07-01 07:22
