{:11:}手头有个900V，1600W的开关电源，电压一直升不上去。到底是哪的问题，查不出来。有哪位大神介绍点斩波升压这方面的资料。
2013-01-17 09:32
可能需要使用几毫瓦的功率为低压微处理器系统供电，或者需要使用数十瓦的功率为逆变器门极驱动器供电。我们新推出的900 V InnoSwitch-EP
2018-10-09 14:15
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40
输入900V，输出500V的高压稳压电源——三极管串联应用的典范：
2018-09-13 18:18
为满足晶体管用户的需求，有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出
2019-07-09 08:17
概述：K1794是一款N沟道MOS场效应管，漏极电流，Id=5A、漏源击穿电压V(br)ds=900V、漏极最大耗散功率Pdm=125W，K1794可以用K1358、K1117、K718、K794、KK872...
2021-04-08 07:29
为满足晶体管用户的需求，有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出
2019-07-05 06:56
spwm调制如何将400V进线交流电压调制为900V母线电压
2024-11-12 14:25
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-04-09 04:58
