的512Kbit SPI EEPROM,采用SOIC-8封装,能够满足多种应用需求。本文将从客户的痛点出发,详细介绍AT25512N-SH-T的产品详情、技术参数及其应
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、AM4930N-T1-VB 产品简介AM4930N-T1-VB 是一款双 N+N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。它具有优秀的电性能和高度集成的特
2024-12-02 11:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N70L-TF3-T-VB 产品简介8N70L-TF3-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。它具有高达700V的漏源极电压承受能力,适用于需要高电压
2024-11-22 16:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N50L-TF2-T-VB 产品简介8N50L-TF2-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。它具有高电压承受能力和稳定的性能特征,在功率转换和电源管理
2024-11-22 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N90G-TA3-T-VB 产品简介8N90G-TA3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO220。它具有高达900V的耐压能力和7A
2024-11-22 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**8N80L-TF3-T-VB**是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,适用于需要高电压承载能力的应用。该器件具有较高的漏极-源极电压(VDS)和适中的电流处理能力
2024-11-22 17:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介VBsemi 8N80G-TA3-T-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220封装,设计用于要求高稳定性和可靠性的功率电子应用。其优秀的特性使其在各种高压开关和电源
2024-11-22 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**8N70G-TA3-T-VB**是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装,适用于高压应用场合。该器件具有较高的漏极-源极电压(VDS)和适中的电流承载能力,适合需要处理高
2024-11-22 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介8N60L-TA3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220封装,适合用于高压和中功率的电路应用,具有优良的导通特性和稳定性能。### 详细参数
2024-11-22 16:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### AM4922N-T1-PF-VB 产品简介AM4922N-T1-PF-VB 是一款双 N+N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封装,利用先进的沟槽技术。它具
2024-12-02 11:29 微碧半导体VBsemi 企业号