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型号：STP<b class='flag-s-7'>8NM</b>60FP-VB 品牌：微碧

### **STP8NM60FP-VB 产品简介**STP8NM60FP-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高电压、高电流的应用设计。该

2025-09-18 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：STF<b class='flag-s-7'>8NM</b>60ND-VB 品牌：微碧

### 1. **产品简介 - STF8NM60ND-VB**STF8NM60ND-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 型 MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）耐压能力

2025-09-18 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：1550<b class='flag-s-7'>nm</b>-SOA-chip 品牌：

 1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全工艺国产化的

2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号

型号：STF<b class='flag-s-7'>8NM</b>50N-VB 品牌：微碧

### STF8NM50N-VB 产品简介STF8NM50N-VB 是一款采用 **Plannar 技术** 的 N-沟道功率 MOSFET，封装形式为 TO220F。它具备 **650V

2025-09-18 14:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>8NM</b>60ND-VB TO263 品牌：微碧

### 一、8NM60ND-VB 产品简介8NM60ND-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO263 封装，适合高压功率开关和电源管理应用。它具有650V的漏源极电压承受能力和优良的导

2024-11-22 17:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：STP<b class='flag-s-7'>8NM</b>50FP-VB 品牌：微碧

### 产品简介：STP8NM50FP-VBSTP8NM50FP-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用TO220F封装，专为高电压、大电流应用设计，最大漏源电压（V_DS）为650V，漏极

2025-09-18 16:21 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：STF<b class='flag-s-7'>8NM</b>60N-VB 品牌：微碧

### 一、STF8NM60N-VB 产品简介STF8NM60N-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，适用于多种高电压应用。这款 MOSFET 的最大漏源电压（VDS

2025-09-18 14:10 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：P<b class='flag-s-7'>8NM</b>60FP-VB 品牌：微碧

### P8NM60FP-VB 产品简介P8NM60FP-VB 是一款高压 N-Channel MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高电压应用设计，能够处理高达 650V 的漏源电压

2025-09-16 11:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>8NM</b>60ND-VB TO251 品牌：微碧

### 产品简介**8NM60ND-VB**是一款单N沟道MOSFET，采用TO251封装，适合高压应用场合。该器件具有良好的电压承载能力和中等的电流处理能力，适用于要求稳定性和可靠性的电力电子

2024-11-22 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>8NM</b>50N-VB TO220 品牌：微碧

### 8NM50N-VB MOSFET 产品简介8NM50N-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 Plannar 技术制造，封装为 TO220。它具有高达500V 的漏源电压 (VDS

2024-11-22 17:15 微碧半导体VBsemi 企业号