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2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
### 产品简介B11NM60-VB 是一款高效单级N沟道 MOSFET,封装形式为 TO263。采用 Trench 技术,具备低导通电阻和大电流处理能力,特别适用于高电压开关和功率控制
2025-01-07 11:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 11NM65N-VB TO220F 产品简介11NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压
2024-07-05 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:11NM60ND-VB TO252**VBsemi的11NM60ND-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用先进的SJ_Multi-EPI技术设计,具有低导通电阻和高
2024-07-05 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
Mini Circuits 的 NM-SM50 是频率为 0 至 18 GHz 的串联射频适配器。 产品详情零件号NM-SM50制造商迷你
2023-08-25 10:51 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 11NM65N-VB TO252 产品简介**产品概述**:11NM65N-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有低导通电阻和高电压承受能力
2024-07-05 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8NM60ND-VB 产品简介8NM60ND-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装,适合高压功率开关和电源管理应用。它具有650V的漏源极电压承受能力和优良的导
2024-11-22 17:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的11NM60ND-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有高达650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的栅极-源极电压(VGS)。该器件
2024-07-05 15:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:11NM50N-VB TO252是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS,±V)、3.5V的阈值电压(Vth)、370m
2024-07-05 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号