### 60N32N3LL-VB MOSFET 产品简介60N32N3LL-VB是一款半桥N+N沟道功率MOSFET,采用DFN8(5X6)-
2024-11-15 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N60-VB 产品简介8N60-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。它具有高达650V的漏源极电压承受能力,适用于各种要求高电压和高效能的功率开关和电源
2024-11-22 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N60-VB 产品简介8N60-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO251。它具有650V的耐压能力和7A的最大连续漏极电流(ID),适合于
2024-11-22 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20N60C2-VB TO247 产品简介20N60C2-VB TO247 是一款高性能的单N沟道MOSFET,具有高漏极电压和电流处理能力。采用了SJ_Multi-EPI 技术制造,具有低
2024-07-09 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品信息:**EP2C20F484C8N是由领先技术公司开发的多功能高性能FPGA(现场可编程门阵列),在各行各业具有广泛的应用,以其可靠性和效率而闻名。**产品详细参数
2024-04-27 08:48 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介47N60C3-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET,设计用于高压应用中的电源开关和电流控制。采用先进的 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO247,提供了
2024-11-11 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:35N60C3-VB**35N60C3-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造。该器件封装在TO-247封装中,具有650V的漏源
2024-11-06 14:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 07N60C2-VB 产品简介**型号**: 07N60C2-VB **封装**: TO251 **配置**: 单一N沟道 **技术
2024-07-03 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
EP4CE6F17C8N ,Cyclone IV FPGA设备,INTEL/ALTERAEP4CE6F17C8N ,Cyclone IV FPGA设备,INTEL
2023-02-20 17:05 深圳市金和信科技有限公司 企业号
### 07N60C3-VB MOSFET产品简介**07N60C3-VB**是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO220封装,具备650V的漏源极电压(VDS)和±30V的栅源极电压(VGS
2024-07-03 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号