栅极长度 GaN HEMT 工艺开发。它需要外部匹配电路。CHKA012bSYA 采用密封陶瓷金属法兰电源封装,符合 RoHs N°2011/65 和 REACH
2023-08-10 10:53 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
AM012WN-BI-R 的信息:产品概述AM012WN-BI-R 是一款由 Amcom Communications 公司生产的射频功率放大器产品。 它属于 Amcom
2024-04-03 21:59 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
Amcom Communications 的 AM012MX-QG-R 是一款射频晶体管,频率为 DC 至 6 GHz,功率 (W) 0.32 W,P1dB 24 dBm,功率增益 (Gp
2022-10-09 17:00 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
CHKA012a99F 是一款 140W 氮化镓高电子迁移率晶体管。该产品为雷达和电信等各种射频功率应用提供通用宽带解决方案。它是在 SiC 衬底上采用 0.5μm 栅极长度 GaN HEMT
2023-08-10 10:50 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
MAGB-102327-012B0PGaN 放大器 48 V,10 W 2.3 - 2.7 GHzMAGB-102327-012B0P 是一款宽带 GaN HEMT D 型
2023-04-25 16:05 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
AT25512N-SH-T:高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中,可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip(美国微芯)推出的AT25512N-SH-T是一款高性能
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、8N70L-TF3-T-VB 产品简介8N70L-TF3-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。它具有高达700V的漏源极电压承受能力,适用于需要高电压
2024-11-22 16:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N50L-TF2-T-VB 产品简介8N50L-TF2-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。它具有高电压承受能力和稳定的性能特征,在功率转换和电源管理
2024-11-22 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N90G-TA3-T-VB 产品简介8N90G-TA3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO220。它具有高达900V的耐压能力和7A
2024-11-22 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号