### AP90T03GH-VB 产品简介AP90T03GH-VB 是一款单N通道MOSFET，具有高性能的功率开关特性，适用于各种需要高效能和高可靠性的电源管理和功率控制应用。它采用TO252封装
2024-12-21 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP20T03GH-HF-VB 产品简介AP20T03GH-HF-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术（Trench Technology）。它在30V的电压下能够提供
2024-12-17 11:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、AP30T03GH-VB产品简介AP30T03GH-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于高功率和高电流应用。该器件具有30V的漏极-源极电压（VDS），并采用先进
2024-12-17 14:56 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP20T03GH-VB 产品简介AP20T03GH-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于要求高功率密度和低导通电阻的应用。其采用先进的沟槽型技术，结合优化的封装
2024-12-17 11:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介详述：AP99T03GH-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用先进的槽沟技术（Trench）制造。该器件具有高电流承载能力和极低的导通电阻，适合用于高效能的电源管理
2024-12-27 14:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP15T03GH-VB 是一款单 N-沟道功率场效应管（Power MOSFET），采用Trench工艺制造。该器件适用于高性能功率开关和电源管理应用，具有30V的漏极-源极
2024-12-16 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP25T03GH-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，封装为TO252。它具备高电流承受能力和低导通电阻，适用于高功率和高效率的电子设备和系统。### 详细参数
2024-12-17 13:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP22T03GH-HF-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，封装为TO252。它具备高电流承受能力和低导通电阻，适用于高功率和高效率的电子设备和系统。### 详细
2024-12-17 11:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP85T03AH-VB 产品简介AP85T03AH-VB是一款单N通道MOSFET，具有高性能和低导通电阻特性，适用于需要高功率a处理和高效能管理的电子设备和系统。它采用TO252封装
2024-12-21 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP85T03AP-VB 产品简介AP85T03AP-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装，具有低导通电阻、高电流承载能力和优秀的功率转换特性。适合于需要高效能和可靠性的功率
2024-12-21 15:49 微碧半导体VBsemi 企业号
