AD8205是一款单电源差动放大器,用于在大共模电压情况下放大小差分电压。工作时的输入共模电压范围为-2 V至+65 V。典型单电源电压为5 V。AD820提供芯片和封装两种形式。芯片的工作温度范围
2023-01-06 15:46 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
设计。采用Trench技术制造,提供优良的导通特性和可靠性。### 二、56STS8205-VB 详细参数说明- **封装类型**:SOT23-6- **配置**:双
2024-11-14 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号
MOSFET具有低导通电阻和良好的电流处理能力,在小封装中提供了高效能的解决方案。### 47QM8205V-VB MOSFET 详细参数说明| 参数
2024-11-11 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC8205BF10HMC8205BF10是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器,在瞬时带宽范围为0.3 GHz至6 GHz时提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功率附加效率(PAE
2024-02-27 19:11 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**型号:34HM8205-VB**34HM8205-VB 是一款高性能双N沟道和双P沟道功率MOSFET,采用Trench技术制造。该器件封装在SOT23-6封装中,具有20V的漏
2024-11-06 14:09 微碧半导体VBsemi 企业号
景。30GC8205-VB在电源管理、电池保护和消费类电子产品等领域具有广泛的应用前景。### 二、详细参数说明- **封装类型**:SOT23-6- **配置**
2024-11-04 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介53SSS8205-VB是一款双N沟道加N沟道MOSFET,采用SOT23-6封装,具有优秀的功率特性和高效的电流处理能力,适用于多种电子应用场合。### 详细参数
2024-11-14 13:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介VBsemi 8205C-VB 是一款双N+N沟道MOSFET,采用SOT23-6封装。该器件通过Trench技术设计,具有低导通电阻和适中的电流承载能力,适用于小型电源管理
2024-11-21 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号