### 产品简介 - K8A50DA-VB MOSFETK8A50DA-VB 是一款采用 **TO220F 封装** 的 **单一N沟道MOSFET**,专为高电压和中等电流应用设计。该MOSFET
2025-09-12 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、K8P25DA-VB 产品简介K8P25DA-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,专为高电压和中等电流应用设计。该器件的漏源击穿电压(VDS)为 250V
2025-10-10 13:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、K8A45DA-VB 产品简介K8A45DA-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,设计用于高电压和中等电流的应用。该器件的漏源击穿电压(VDS)为
2025-09-12 17:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:TK8A55DA-VBTK8A55DA-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高压和高功率应用设计。该 MOSFET 提供了 650V 的漏源
2025-09-22 11:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### TK8A45DA-VB MOSFET 产品简介TK8A45DA-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高电压、大电流的开关应用。该 MOSFET
2025-09-22 11:48 微碧半导体VBsemi 企业号
**K8A60DA-VB MOSFET 产品简介:**K8A60DA-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高电压和中等电流的电力应用。其漏源电压(VDS)为
2025-09-12 18:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**TK8A60DA-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的单极 N 型 MOSFET,具有 **650V** 的耐压(VDS)和 **30V** 的最大栅源电压(VGS
2025-09-22 11:57 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介** K8A55DA-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET,专为高压和高效应用设计。其漏极-源极电压(VDS)高达 650V,能够应对高压环境中的开关操作,栅极-源极
2025-09-12 17:57 微碧半导体VBsemi 企业号