电子发烧友

型号：BCM56771A0KFSBG 品牌：

BCM56771A0KFSBG性能密度：单芯片 12.8Tbps + 32×400G 端口，降低设备数量与 TCO。技术前瞻：PAM4 调制 + 7nm 工艺，平滑演进至 800G 时代。能效比

2025-09-09 10:41 立年电子科技 企业号

型号：STP<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB 品牌：微碧

的导通电阻（RDS(ON) = 830mΩ@VGS=10V），使其能够在高电压和大电流的工作环境中高效运行。STP7NM60N-VB 使用 Plannar 技术制造

2025-09-18 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>64N-VB 品牌：微碧

### 7NM64N-VB TO252 MOSFET 产品简介7NM64N-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，适用于中高压应用场合。其封装

2024-11-21 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB TO220F 品牌：微碧

### 一、7NM60N-VB 产品简介7NM60N-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装。它设计用于高压应用环境，具有稳定的电气特性和可靠性

2024-11-21 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：XC<b class='flag-s-7'>7</b>Z030-2SBG485I是AMD/Xilinx<b class='flag-s-7'>公司</b>生 品牌：

XC7Z030-2SBG485I是AMD/Xilinx公司生产的Zynq-7000 SoC系列产品,它集成了ARM处理器和FPGA逻辑在同一芯片上,具有以下主要性能和特点: 1. 采用

2024-04-06 20:40 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：微<b class='flag-s-7'>芯片</b>激光器 品牌：

法国LEUKOS公司超紧凑型微芯片激光器超紧凑型微芯片激光器基于固态、二极管泵浦和被动Q开关激光器。凭Leukos的独有专利设计，激光器可以产生1064 nm或532

2024-07-17 11:33 上海屹持光电技术有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB TO252 品牌：微碧

### 7NM60N-VB MOSFET 产品简介7NM60N-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于需要高电压和低功耗的电子设备应用。该器件具有高漏极电压、低导通电阻和优异

2024-11-21 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号： 36-12-141-<b class='flag-s-7'>7NM</b>是一款高频RF电缆组件 品牌：

如需咨询请点击左侧关于页面，然后电联（ 切记不要留言 不要留言 留言 留言看不到无法沟通） Mini-Circuits 36-12-141-7NM产品概述Mini-Circuits

2024-10-17 10:39 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：STF<b class='flag-s-7'>7NM</b>50N-VB 品牌：微碧

### STF7NM50N-VB 产品简介STF7NM50N-VB 是一款 **单极 N 型功率 MOSFET**，采用 **TO220F** 封装，专为中等电压和电流应用设计，适用于多种电源转换

2025-09-18 13:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：STF<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介：**STF7NM60N-VB** 是一款采用TO220F封装的单N通道MOSFET，基于Plannar技术制造，具有650V的漏极-源极耐压（VDS），能够支持高电压应用。该

2025-09-18 13:58 微碧半导体VBsemi 企业号