的导通电阻(RDS(ON) = 830mΩ@VGS=10V),使其能够在高电压和大电流的工作环境中高效运行。STP7NM60N-VB 使用 Plannar 技术制造
2025-09-18 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 7NM64N-VB TO252 MOSFET 产品简介7NM64N-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术制造,适用于中高压应用场合。其封装
2024-11-21 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
36-12-141-7NM是一款高频RF电缆组件,专为要求高性能的应用而设计,确保信号的稳定传输。技术资料频率范围:DC至7 GHz插入损耗:低于0.4 dB回波损耗:大于19
2024-10-17 10:39 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 7NM60N-VB MOSFET 产品简介7NM60N-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO252封装,适用于需要高电压和低功耗的电子设备应用。该器件具有高漏极电压、低导通电阻和优异
2024-11-21 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号
FPGA建立在先进的高性能,低功耗(HPL),28 nm高k金属栅极(HKMG)工艺技术之上,可实现I / O带宽2.9 Tb / s,200万逻辑单元容量和5.3 T
2022-11-10 15:11 深圳市泰凌微电子有限公司 企业号
### STF7NM50N-VB 产品简介STF7NM50N-VB 是一款 **单极 N 型功率 MOSFET**,采用 **TO220F** 封装,专为中等电压和电流应用设计,适用于多种电源转换
2025-09-18 13:56 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、7NM60N-VB 产品简介7NM60N-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。它设计用于高压应用环境,具有稳定的电气特性和可靠性
2024-11-21 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介:**STF7NM60N-VB** 是一款采用TO220F封装的单N通道MOSFET,基于Plannar技术制造,具有650V的漏极-源极耐压(VDS),能够支持高电压应用。该
2025-09-18 13:58 微碧半导体VBsemi 企业号