电子发烧友

型号： 36-12-141-<b class='flag-s-7'>7NM</b>是一款高频RF电缆组件 品牌：

36-12-141-7NM是一款高频RF电缆组件，专为要求高性能的应用而设计，确保信号的稳定传输。技术资料频率范围：DC至7 GHz插入损耗：低于0.4 dB回波损耗：大于19

2024-10-17 10:39 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>64N-VB 品牌：微碧

### 7NM64N-VB TO252 MOSFET 产品简介7NM64N-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，适用于中高压应用场合。其封装

2024-11-21 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：XC<b class='flag-s-7'>7</b>A200T-1FBG676C 品牌：

FPGA建立在先进的高性能，低功耗（HPL），28 nm高k金属栅极（HKMG）工艺技术之上，可实现I / O带宽2.9 Tb / s，200万逻辑单元容量和5.3 T

2022-11-10 15:11 深圳市泰凌微电子有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB TO252 品牌：微碧

### 7NM60N-VB MOSFET 产品简介7NM60N-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于需要高电压和低功耗的电子设备应用。该器件具有高漏极电压、低导通电阻和优异

2024-11-21 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB TO220F 品牌：微碧

### 一、7NM60N-VB 产品简介7NM60N-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装。它设计用于高压应用环境，具有稳定的电气特性和可靠性

2024-11-21 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB TO251 品牌：微碧

### 一、产品简介VBsemi 7NM60N-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO251封装，适用于高压和高性能的电源管理和开关电路应用。具有650V的最大漏源电压和低导通电阻特性，适合

2024-11-21 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：XC<b class='flag-s-7'>7</b>A50T-1FGG484C 品牌：

描述XC7A50T-1FGG484C基于最先进的、高性能、低功耗(HPL)、28nm、高k金属门(HKMG)工艺技术，以2.9Tb/s的I/O带宽、200万个逻辑单元容量和5.3TMAC/sDSP

2022-08-03 16:23 深圳市美佳特科技有限公司 企业号

型号：电子<b class='flag-s-7'>工艺</b>质量评价 品牌：广电计量

服务范围PCB、PCBA、汽车焊接零部件检测标准1、整车厂标准：韩系（含合资）-ES90000系列、⽇系（含合资）-TSC0507G、TSC0509G、 TSC0510GTSC3005G、德系（含合资）-VW80000系列、美系（含合资）-GMW3172、吉利汽车系列标准、奇瑞汽车系列标准、一汽汽车系列标准等2、其他行业标准/国标/特殊行业标准等：

2024-01-29 22:37 广电计量 企业号

型号：1550<b class='flag-s-7'>nm</b>-SOA-chip 品牌：

 1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全工艺国产化的芯片。符合GR-468-CORE标准

2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号

型号：AD8222ACPZ-R<b class='flag-s-7'>7</b> 品牌：

公司的先进工艺技术，能够在宽电源电压范围内提供优异的性能。其轨到轨输入和输出特性使得它能够处理接近电源轨的信号，同时输出接近电源轨的放大信号，非常适合于单电源应用

2024-04-24 23:43 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号