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型号：LP<b class='flag-s-7'>7811</b> 品牌：

LPS微源半导体LP7811内置开关充电PMIC芯片一、描述LP7811 是一款先进的真无线立体声（TWS）充电盒管理集成电路，旨在延长 TWS 耳机的整体电池续航时间。该集成电路具备一个开关充电器

2025-02-10 09:59 东莞市中铭电子 企业号

型号：LTC<b class='flag-s-7'>7811</b> 品牌：

LTC7811是一款高性能三路输出（降压/降压/升压）DC/DC开关稳压器控制器，可驱动全部N通道功率MOSFET级。其恒频电流模式架构允许高达3 MHz的锁相开关频率。LTC7811可在4.5V至

2023-05-15 10:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7811</b>M-VB 品牌：微碧

### 7811M-VB MOSFET 产品简介7811M-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用SOP8封装，设计用于多种电子设备应用。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和优异的开关性能

2024-11-20 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF<b class='flag-s-7'>7811</b>AVTR-VB 品牌：微碧

### 产品简介IRF7811AVTR-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，封装为SOP8。这款MOSFET的漏源电压（VDS）为30V，栅源电压（VGS）为±20V，具有较低的阈值电压

2025-09-04 14:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF<b class='flag-s-7'>7811</b>WTR-VB 品牌：微碧

### IRF7811WTR-VB MOSFET 产品简介**IRF7811WTR-VB** 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用**SOP8**封装，并运用了**Trench**技术。其最大

2025-09-04 14:18 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：LR<b class='flag-s-7'>7811</b>W-VB 品牌：微碧

**产品简介（LR7811W-VB）**LR7811W-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为中低电压应用设计。其额定漏源电压（VDS）为30V，最大漏极电流（ID）可达

2025-10-11 09:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>7811</b>M-VB 品牌：微碧

### AP7811M-VB 产品简介AP7811M-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适合于要求高效能和稳定性能的电子电路设计。其

2024-12-21 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF<b class='flag-s-7'>7811</b>AVUTRPBF-VB 品牌：微碧

### IRF7811AVUTRPBF-VB MOSFET 产品简介：**IRF7811AVUTRPBF-VB** 是一款高效能 **单N沟道MOSFET**，封装形式为 **SOP8**，适合

2025-09-04 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF<b class='flag-s-7'>7811</b>WTRPBF-VB 品牌：微碧

### IRF7811WTRPBF-VB MOSFET 产品简介IRF7811WTRPBF-VB 是一款高性能 N-channel MOSFET，封装为 SOP8，专为低电压高效率应用设计。该

2025-09-04 14:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF<b class='flag-s-7'>7811</b>AVTRPBF-VB 品牌：微碧

### 产品简介——IRF7811AVTRPBF-VBIRF7811AVTRPBF-VB 是一款采用 SOP8 封装的单 N 沟道 MOSFET，适用于中等电压和高效开关应用。其漏源极电压为 30V

2025-09-04 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号