### 47N60CFD-VB MOSFET产品简介47N60CFD-VB是一款高压N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO247封装。它具有600V的漏源电压承受能力,适用于需要高电压
2024-11-11 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 15N60L-T47-T-VB MOSFET 产品简介VBsemi 15N60L-T47-T-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar工艺制造,具有高电压承受能力和低导通电阻。该
2024-07-06 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、47N10L-VB 产品简介47N10L-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO263封装。它设计用于提供优异的功率开关特性和低导通电阻,适用于各种需要高电流和高压的功率控制
2024-11-11 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介47N60C3-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET,设计用于高压应用中的电源开关和电流控制。采用先进的 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO247,提供了
2024-11-11 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi的MOSFET产品18N60L-T47-T-VB是一款单通道N沟道器件,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),和3.5V的阈值电压(Vth)。该
2024-07-08 15:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介47N60S5-VB是VBsemi公司推出的高压N沟道MOSFET,采用TO247封装。它具有650V的漏源电压(VDS),适用于要求高电压和高电流承载能力的电源开关和功率管
2024-11-11 17:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介47N65C3-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,封装形式为TO247。它具有高漏极电压容忍能力和低导通电阻,适用于高压、高电流的功率开关和电源
2024-11-11 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号