### 15N60L-T47-T-VB MOSFET 产品简介VBsemi 15N60L-T47-T-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar工艺制造,具有高电压承受能力和低导通电阻。该
2024-07-06 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
器件采用了Plannar技术,以下是对该产品的详细介绍和参数说明:**产品简介:**18N60L-T47-T-VB MOSFET是一款高性能的单N沟道功率MOSF
2024-07-08 15:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介47N60C3-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET,设计用于高压应用中的电源开关和电流控制。采用先进的 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO247,提供了
2024-11-11 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介47N60S5-VB是VBsemi公司推出的高压N沟道MOSFET,采用TO247封装。它具有650V的漏源电压(VDS),适用于要求高电压和高电流承载能力的电源开关和功率管
2024-11-11 17:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介47N60C2-VB 是一款单N-通道MOSFET,采用TO247封装。它具有高达650V的漏源电压(VDS),30V的栅源电压(VGS)(±),以及3.5V的阈值电压(Vth)。该
2024-11-11 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介47N65C3-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,封装形式为TO247。它具有高漏极电压容忍能力和低导通电阻,适用于高压、高电流的功率开关和电源
2024-11-11 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号
2410KEITHLEY吉时利2410 数字源表介绍:吉时利SourceMeter(数字源表)系列是专为那些要求紧密结合激励源和测量功能,要求精密电压源并同时进行电流与
2023-09-16 10:53 深圳市迈凯瑞仪器仪表有限公司 企业号
### 产品简介**型号:9N90L-T47-T-VB**9N90L-T47-T-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有高达900V的漏源电压额定值,适合
2024-11-27 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号