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2024-11-01 14:54 微碧半导体VBsemi 企业号
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2024-07-19 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号
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2024-11-01 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号
,最大栅源极电压 VGS 为 ±20V,漏极电流 ID 达 120A。该 MOSFET 采用沟槽型工艺技术,具有低导通电阻(RDS(ON) 为 5mΩ 在 VGS=
2025-01-08 16:21 微碧半导体VBsemi 企业号
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2024-11-01 15:00 微碧半导体VBsemi 企业号