电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数,尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数,MOS电容随外加电压变
2024-06-05 11:16 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号
的转换。这款器件具有高速、低功耗和 TTL 兼容等特点,广泛应用于各类数字电子设备中。产品详细参数:工作电压范围: 1.65V至5.5V最大数据传输速率: 125M
2024-04-26 23:29 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
高漏源电压、适中导通电阻和较高漏极电流的特性,非常适合中等功率电源管理和开关应用。### 2SK3097LS-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO220F
2024-10-26 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSC014N03LS G-VB** 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造。该MOSFET具有30V的漏源电压(VDS)和最大20V的栅源
2025-01-08 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号