VBsemi的MOSFET产品190N55LF3-VB是一款单通道N沟道器件,具有60V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),和3V的阈值电压(Vth)。该器件采用
2024-07-08 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号
EK-VCK190-G 开发板介绍EK-VCK190-G 是一款高性能的开发板,专为嵌入式系统和智能设备应用设计。该开发板集成了先进的处理器和丰富的接口,适合各种开发需求,广泛应用于物联网、智能家居
2024-04-30 10:52 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
VBsemi 190NF04-VB TO220 MOSFET产品简介:VBsemi的190NF04-VB TO220是一款TO220封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有40V的漏极-源极电压
2024-07-08 16:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介BSC190N15NS3 G-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装。它采用Trench技术,设计用于处理中高电压和电流应用。具有高电压耐受能力和相对
2025-01-08 17:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、6R190C6-VB产品简介6R190C6-VB 是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用超结多重外延(SJ_Multi-EPI)技术。这款器件设计用于高压应用,具有良好
2024-11-18 17:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi的190N12NS3-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,具有高性能和可靠性。这款器件适用于需要高电压和高电流的应用场合,如电源管理和电机控制
2024-07-08 16:53 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC190BMS8(E)是一款低成本SPDT开关,采用8引脚MSOP封装。 该开关可控制DC至3 GHz范围的信号。 它尤其适合采用正控制电压的中低功耗应用。 这两个控制电压所需的直流电流非常
2022-11-16 09:51 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号