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型号：<b class='flag-s-7'>190N</b>55LF3-VB 品牌：微碧

VBsemi的MOSFET产品190N55LF3-VB是一款单通道N沟道器件，具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），和3V的阈值电压（Vth）。该器件采用

2024-07-08 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：EK-VCK<b class='flag-s-7'>190</b>-G 品牌：

EK-VCK190-G 开发板介绍EK-VCK190-G 是一款高性能的开发板，专为嵌入式系统和智能设备应用设计。该开发板集成了先进的处理器和丰富的接口，适合各种开发需求，广泛应用于物联网、智能家居

2024-04-30 10:52 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：Fluke <b class='flag-s-7'>190</b>-504S <b class='flag-s-7'>190</b>-502S 品牌：

产品概述: Fluke-190-504/S彩色数字示波表Fluke 190 II系列 ScopeMeter® 手持式示波表 -- ScopeMeter® 测试工具 20多 年的创新成果

2022-08-03 18:05 鸿承仪器 企业号

型号：6R<b class='flag-s-7'>190</b>C6-VB TO247 品牌：微碧

### 一、6R190C6-VB产品简介6R190C6-VB 是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用超结多重外延（SJ_Multi-EPI）技术。这款器件设计用于高压应用，具有良好

2024-11-18 17:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：B<b class='flag-s-7'>190</b>BQ 品牌：

B190BQ 产品简介DIODES 的 B190BQ 该肖特基势垒整流器旨在满足商业和汽车应用的一般要求。 产品规格 品牌      

2023-06-25 11:01 立年电子科技 企业号

型号：6R<b class='flag-s-7'>190</b>C6-VB TO263 品牌：微碧

### 6R190C6-VB MOSFET 产品简介6R190C6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO263封装。它具有650V的漏源电压和20A的漏电流能力，适合于中等电压和电流处理能力

2024-11-18 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：2SJ<b class='flag-s-7'>190</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介VBsemi的2SJ190-VB是一款P沟道MOSFET，适用于各种低压、中压和高压应用。具有-60V的耐压能力和-5A的电流承受能力，内部电阻（RDS(ON)）为58m

2024-05-20 16:32 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>190</b>NF04-VB 品牌：微碧

VBsemi 190NF04-VB TO220 MOSFET产品简介：VBsemi的190NF04-VB TO220是一款TO220封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有40V的漏极-源极电压

2024-07-08 16:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号： LM339 品牌：

供应LM339电压比较器采用SOP-14封装，提供lm339引脚图及功能关键参数 ，主要应用于消费类和工业类电子产品中，进行电平检波和低电平探测。更多产品手册、应用料资请向深圳骊微电子申请。>>  

2023-06-07 15:49 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：SVF4<b class='flag-s-7'>N</b>90F 品牌：

供应SVF4N90F 4A、900V常用n沟道mos管，提供4n90场效应管引脚图，更多产品手册、应用料资请向士兰微mo

2022-12-21 15:03 深圳市骊微电子科技 企业号