VBsemi的05CN10L-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压(VDS)、20V(±V)的门极-源极电压(VGS)、3V的阈值电压(Vth)、在VGS
2024-07-02 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 10N05-VB 产品简介:10N05-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,封装为 TO263。该器件具有 60V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的栅极-源极电压(VGS
2024-07-04 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号
SPST 吸收式开关。该器件采用 16 引脚陶瓷表面贴装封装,在 DC 至 3 GHz 范围内提供出色的性能和可重复性,同时保持低功耗。SW05-0311 非常适用于
2023-03-31 12:42 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 产品简介:VBsemi的05N10-VB是一款TO251封装的单通道N沟道MOSFET,具有100V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,正负)和1.5V的阈值电压
2024-07-03 11:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**2SK2687-01_05-VB** 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装,适用于中低压高功率应用。具有较低的导通电阻和较高的漏极-源极电流能力,适合要求中低压和高功率
2024-07-19 15:28 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi的05N03LB-VB是一款TO252封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V(±V)的门极-源极电压(VGS)、1.7V的阈值电压(Vth)、在VGS
2024-07-02 17:52 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: NCE40P05Y-VB丝印: VB2355品牌: VBsemi**详细参数说明:**- 封装类型: SOT23- 沟道类型: P-Channel- 额定电压: -30V- 最大电流
2024-02-20 09:43 微碧半导体VBsemi 企业号