### 产品简介BSC090N03LS-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装为SOP8。该MOSFET支持高达30V的漏源电压，并能承受最大13A的漏极电流。其低导通电
2025-01-08 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号**: BSZ019N03LS-VB **封装**: DFN8 (3x3) **配置**: 单N沟道MOSFET **技术**: 沟槽型
2025-01-10 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSC014N03LS G-VB** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造。该MOSFET具有30V的漏源电压（VDS）和最大20V的栅源电压（VGS
2025-01-08 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSC080N03LS G-VB** 是一款高性能单通道 N 沟道 MOSFET，封装类型为 DFN8(5x6)。这款 MOSFET 采用了先进的 Trench 技术，设计用于
2025-01-08 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介BSC090N03LS G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，封装形式为DFN8（5x6mm），专为高电流和高效率应用设计。该器件采用先进的沟槽（Trench）技术，具有
2025-01-08 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、BSZ100N03LS G-VB产品简介BSZ100N03LS G-VB是一款采用先进沟槽技术的单N沟道MOSFET，封装类型为DFN8(3x3)。该器件具有出色的导通电阻和低栅极电荷
2025-01-10 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### BSZ088N03LS G-VB MOSFET 产品简介#### 1. 产品简介BSZ088N03LS G-VB 是英飞凌公司推出的一款高性能单级N沟道MOSFET，专为高效能电源管理
2025-01-10 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSC052N03LS-VB** 是一款单极性N沟道功率MOSFET，封装为DFN8(5x6)，专为高电流和高效率应用设计。该MOSFET具有30V的漏源电压（VDS）和最大
2025-01-08 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi的057N03LS-VB是一款DFN8(5X6)封装的单N沟道场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS
2024-07-02 16:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi的050N03LS-VB是一款DFN8(5X6)封装的单通道N沟道MOSFET，具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负）和1.7V
2024-07-02 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号
