### 080P03LS-VB MOSFET产品简介**080P03LS-VB**是一款高性能单P沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,具备-30V的漏源极电压(VDS)和±20V的栅源极
2024-07-03 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSC090N03LS-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用Trench技术,封装为SOP8。该MOSFET支持高达30V的漏源电压,并能承受最大13A的漏极电流。其低导通电
2025-01-08 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
描述这款小尺寸、低输入电流、高增益光耦合器是一款单通道器件,采用五引脚微型封装。其SO-5 JEDEC注册(MO-155)封装外形不要求PCB上有“通孔”。这种封装约占标准双列直插式封装面积
2025-01-06 15:06 深圳芯领航科技有限公司 企业号
### BSC130P03LS G-VB MOSFET 产品简介BSC130P03LS G-VB 是一款高性能单P沟道功率MOSFET,采用Trench技术,并封装在DFN8 (5x6) 外壳中
2025-01-08 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号
; LS592采用16引脚封装,由并行输入,8位存储寄存器馈送8位二进制计数器组成。寄存器和计数器都有各自的正边触发时钟,此外,计数器具有直接加载和清除功能。
2023-08-02 14:55 深圳市合创达微电子有限公司 企业号
### 产品简介**型号**: BSZ019N03LS-VB **封装**: DFN8 (3x3) **配置**: 单N沟道MOSFET **技术**: 沟槽型
2025-01-10 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSC080N03LS G-VB** 是一款高性能单通道 N 沟道 MOSFET,封装类型为 DFN8(5x6)。这款 MOSFET 采用了先进的 Trench 技术,设计用于
2025-01-08 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号