### 080P03LS-VB MOSFET产品简介**080P03LS-VB**是一款高性能单P沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,具备-30V的漏源极电压(VDS)和±20V的栅源极
2024-07-03 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
阻和低阈值电压设计使其能够在较低的栅极电压下高效运行。BSC090N03LS-VB适用于各种需要高效开关和电流管理的应用,提供稳定的性能和低功耗解决方案。###
2025-01-08 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
MOSFET在-30V的漏源极电压下运行,适合用于高效能电源管理和开关应用。### 二、详细参数说明- **型号**:BSC080P03LS G-VB- **封装**
2025-01-08 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
),适用于高电流、高开关频率的应用。其低导通电阻特性使其在高效能的功率转换和开关应用中表现优异。### 参数说明- **型号**: BSC014N03LS G-VB-
2025-01-08 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的130P03LS-VB是一款单P沟道MOSFET,采用Trench技术,具有-30V的漏极-源极电压(VDS)和20V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导
2024-07-05 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号
出色的电气性能。在最大漏源电压30V下,BSC090N03LS G-VB能够承受高达80A的漏极电流,提供低至7mΩ的导通电阻(在VGS=10V时)。这种高效的特性
2025-01-08 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### BSC130P03LS G-VB MOSFET 产品简介BSC130P03LS G-VB 是一款高性能单P沟道功率MOSFET,采用Trench技术,并封装在DFN8 (5x6) 外壳中
2025-01-08 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号**: BSZ019N03LS-VB **封装**: DFN8 (3x3) **配置**: 单N沟道MOSFET **技术**: 沟槽型
2025-01-10 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号
100N03LS-VB是一款DFN8(5x6)封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),1.7V的阈值电压(Vth),在VGS
2024-07-04 14:56 微碧半导体VBsemi 企业号