电压（VGS）。该产品采用Trench技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高效率和高功率密度的应用场景。### 080P03LS-VB详细参数说明- *
2024-07-03 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号**: BSZ019N03LS-VB **封装**: DFN8 (3x3) **配置**: 单N沟道MOSFET **技术**: 沟槽型
2025-01-10 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号
。这款MOSFET具有负漏源电压和低导通电阻，非常适合在需要高效能和高可靠性的电力管理应用中使用。### 详细的参数说明- **型号**: BSC130P03LS G
2025-01-08 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的130P03LS-VB是一款单P沟道MOSFET，采用Trench技术，具有-30V的漏极-源极电压（VDS）和20V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导
2024-07-05 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号
MOSFET在-30V的漏源极电压下运行，适合用于高效能电源管理和开关应用。### 二、详细参数说明- **型号**：BSC080P03LS G-VB- **封装**
2025-01-08 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
），适用于高电流、高开关频率的应用。其低导通电阻特性使其在高效能的功率转换和开关应用中表现优异。### 参数说明- **型号**: BSC014N03LS G-VB-
2025-01-08 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSC090N03LS-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装为SOP8。该MOSFET支持高达30V的漏源电压，并能承受最大13A的漏极电流。其低导通电
2025-01-08 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 200P03LS-VB是一款单P沟道功率MOSFET，采用DFN8(5X6)封装，具有-30V的漏极-源极电压（VDS）和20V的最大门极-源极电压（VGS）。采用槽
2024-07-09 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSC080N03LS G-VB** 是一款高性能单通道 N 沟道 MOSFET，封装类型为 DFN8(5x6)。这款 MOSFET 采用了先进的 Trench 技术，设计用于
2025-01-08 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### BSC200P03LS G-VB MOSFET 产品简介BSC200P03LS G-VB 是一款高性能单P通道MOSFET，封装在DFN8(5x6)外壳中。这款MOSFET 专为需要高电流
2025-01-08 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
