### 产品简介BSC090N03LS-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装为SOP8。该MOSFET支持高达30V的漏源电压，并能承受最大13A的漏极电流。其低导通电
2025-01-08 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### BSC130P03LS G-VB MOSFET 产品简介BSC130P03LS G-VB 是一款高性能单P沟道功率MOSFET，采用Trench技术，并封装在DFN8 (5x6) 外壳中
2025-01-08 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号**: BSZ019N03LS-VB **封装**: DFN8 (3x3) **配置**: 单N沟道MOSFET **技术**: 沟槽型
2025-01-10 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介BSC080P03LS G-VB是一款高性能单P沟道MOSFET，采用DFN8(5X6)封装。它采用Trench技术，设计用于需要低导通电阻和高电流处理能力的负载开关应用。该
2025-01-08 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSC014N03LS G-VB** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造。该MOSFET具有30V的漏源电压（VDS）和最大20V的栅源电压（VGS
2025-01-08 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSC080N03LS G-VB** 是一款高性能单通道 N 沟道 MOSFET，封装类型为 DFN8(5x6)。这款 MOSFET 采用了先进的 Trench 技术，设计用于
2025-01-08 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### BSC200P03LS G-VB MOSFET 产品简介BSC200P03LS G-VB 是一款高性能单P通道MOSFET，封装在DFN8(5x6)外壳中。这款MOSFET 专为需要高电流
2025-01-08 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介BSC090N03LS G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，封装形式为DFN8（5x6mm），专为高电流和高效率应用设计。该器件采用先进的沟槽（Trench）技术，具有
2025-01-08 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、BSZ130N03LS G-VB 产品简介BSZ130N03LS G-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用DFN8 (3x3)封装。它采用了先进的Trench技术，具备优秀的电气
2025-01-10 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、BSZ100N03LS G-VB产品简介BSZ100N03LS G-VB是一款采用先进沟槽技术的单N沟道MOSFET，封装类型为DFN8(3x3)。该器件具有出色的导通电阻和低栅极电荷
2025-01-10 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
