电压（VGS）。该产品采用Trench技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高效率和高功率密度的应用场景。### 080P03LS-VB详细参数说明- *
2024-07-03 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSC090N03LS-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装为SOP8。该MOSFET支持高达30V的漏源电压，并能承受最大13A的漏极电流。其低导通电阻
2025-01-08 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
。这款MOSFET具有负漏源电压和低导通电阻，非常适合在需要高效能和高可靠性的电力管理应用中使用。### 详细的参数说明- **型号**: BSC130P03LS G
2025-01-08 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介BSC080P03LS G-VB是一款高性能单P沟道MOSFET，采用DFN8(5X6)封装。它采用Trench技术，设计用于需要低导通电阻和高电流处理能力的负载开关应用。该
2025-01-08 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
），适用于高电流、高开关频率的应用。其低导通电阻特性使其在高效能的功率转换和开关应用中表现优异。### 参数说明- **型号**: BSC014N03LS G-VB-
2025-01-08 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号
处理高电流和高效率的应用。其漏源极电压（VDS）为 30V，最大门源极电压（VGS）可达 ±20V，适合广泛的驱动条件。BSC080N03LS G-VB 的导通电阻
2025-01-08 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的130P03LS-VB是一款单P沟道MOSFET，采用Trench技术，具有-30V的漏极-源极电压（VDS）和20V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导
2024-07-05 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、BSZ100N03LS G-VB产品简介BSZ100N03LS G-VB是一款采用先进沟槽技术的单N沟道MOSFET，封装类型为DFN8(3x3)。该器件具有出色的导通电阻和低栅极电荷
2025-01-10 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 200P03LS-VB是一款单P沟道功率MOSFET，采用DFN8(5X6)封装，具有-30V的漏极-源极电压（VDS）和20V的最大门极-源极电压（VGS）。采用槽
2024-07-09 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
100N03LS-VB是一款DFN8(5x6)封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），在VGS
2024-07-04 14:56 微碧半导体VBsemi 企业号
