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型号：AP<b class='flag-s-7'>4511</b>GH-A-VB 品牌：微碧

### 一、AP4511GH-A-VB产品简介AP4511GH-A-VB是一款双N+P沟道MOSFET，采用TO252-4L封装，适用于高电压应用中的功率管理和开关控制。该器件结合了先进

2024-12-19 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>4511</b>M-VB 品牌：微碧

### AP4511M-VB 产品简介AP4511M-VB 是一款双N+P沟道功率MOSFET，采用SOP8封装，适合需要同时控制正负沟道的应用设计。该器件具有低导通电阻和优异的开关特性，适用于要求

2024-12-19 16:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：CHP<b class='flag-s-7'>4511</b>-99F 品牌：

CHP4511 是一款具有输出单刀双通 (SPDT) 开关的 4 位数字移相器。它专为 6 至 18GHz 频率范围应用而设计。芯片的背面同时射频和直流接地。该电路采用 Power pHEMT 工艺

2023-08-10 13:57 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：MTL<b class='flag-s-7'>4511</b> 品牌：

MTL 4511- MTL 5511开关/接近开关隔离栅单通道，带线路故障检测功能MTL511通过危险区的开关或接近开关来控制安全区负载。选中后，线路故障检测(LFD

2022-10-21 15:00 巨匠机械 企业号

型号：DMG<b class='flag-s-7'>4511</b>SK4 品牌：

DMG4511SK4 产品简介DIODES 的 DMG4511SK4 这款新一代 35V N + P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能

2023-06-28 13:47 立年电子科技 企业号

型号：ADA<b class='flag-s-7'>4511</b>-21 品牌：

ADA4511-21 特性 低失调电压漂移：最大±2μV/°C低失调电压：最大±75μV低电压噪声：1μV p-p从0.1 Hz到10 Hz典型值低电压噪声密度：f=1 kHz时典型值为5

2024-04-28 09:24 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>4511</b>GH-VB 品牌：微碧

### 产品简介AP4511GH-VB是一款双N+P沟道共源放大器MOSFET，采用Trench技术制造，适合于要求高功率和高效能的电路设计。其TO252-4L封装提供了良好的热管理和电气

2024-12-19 16:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>4511</b>GED-HF-VB 品牌：微碧

### AP4511GED-HF-VB 产品简介AP4511GED-HF-VB 是一款双通道共源 N+P-Channel MOSFET，采用 DIP8 封装，适合于中等电压应用环境。该器件结合了

2024-12-19 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>4511</b>GED-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介AP4511GED-VB 是一款双N+P沟道MOSFET，采用DIP8封装。该器件结合了双N沟道和P沟道MOSFET，适用于需要同时控制正负电压的电路设计，能够提供高效的电能转换

2024-12-19 16:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>4511</b>GD-VB 品牌：微碧

### 产品简介AP4511GD-VB是一款双N+P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（Dual N+P-Channel MOSFET），采用DIP8封装。它结合了N沟道和P沟道MOSFET的特性

2024-12-19 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号