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2024-07-03 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### BSC130P03LS G-VB MOSFET 产品简介BSC130P03LS G-VB 是一款高性能单P沟道功率MOSFET,采用Trench技术,并封装在DFN8 (5x6) 外壳中
2025-01-08 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSC090N03LS-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用Trench技术,封装为SOP8。该MOSFET支持高达30V的漏源电压,并能承受最大13A的漏极电流。其低导通电
2025-01-08 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号**: BSZ019N03LS-VB **封装**: DFN8 (3x3) **配置**: 单N沟道MOSFET **技术**: 沟槽型
2025-01-10 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### BSC200P03LS G-VB MOSFET 产品简介BSC200P03LS G-VB 是一款高性能单P通道MOSFET,封装在DFN8(5x6)外壳中。这款MOSFET 专为需要高电流
2025-01-08 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介BSC080P03LS G-VB是一款高性能单P沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装。它采用Trench技术,设计用于需要低导通电阻和高电流处理能力的负载开关应用。该
2025-01-08 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSC014N03LS G-VB** 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造。该MOSFET具有30V的漏源电压(VDS)和最大20V的栅源电压(VGS
2025-01-08 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的130P03LS-VB是一款单P沟道MOSFET,采用Trench技术,具有-30V的漏极-源极电压(VDS)和20V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导
2024-07-05 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号