今年初，长江存储市场与销售资深副总裁龚翔曾公开表示，长江存储将跳过如今业界常见的96层堆叠闪存技术，直接投入128层闪存
2020-04-08 16:38
SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功，并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只
2019-06-27 15:23
近日，Intel全球首发了144层堆叠的QLC NAND闪存颗粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD产品，不过对于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36
据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了6
2017-02-23 08:33
苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND
2017-04-11 07:49
据韩媒Hankyung透露，第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层，但IT之家此前曾报道过，三星在学术会议上展示了280层
2024-04-12 16:05
美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND
2020-11-10 16:22
6 层板堆叠在 PCB 设计中的重要性 数十年来，多层印刷电路板一直是设计领域的主要内容。随着电子元件的缩小，从而允许在一块板上设计更多的电路，它们的功能增加了对支持它们的新型 PCB 设计和制造
2020-09-14 01:14
东芝推出全球首款注148层3D堆叠式结构闪存注2，该闪存容量达到256Gb（32GB），同时采用了行业领先的三阶存储单元（TLC）技术。这款全新
2015-08-19 13:37
在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)单元，是利用管线式(pi
2018-08-29 11:10
