09N70P-H-VB是一款单N沟道MOSFET,具有以下主要参数:- VDS(漏极-源极电压):700V- VGS(门极-源极电压):30V(±)- Vth(门极阈值电压):3.5V- RDS
2024-07-04 14:44 微碧半导体VBsemi 企业号
深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。CJAC70P06 由于电子元器件价格因市场浮动,网站展示价格仅为参考价,不能作为最后成交价格,具体价格请与业务重新确认
2023-05-23 09:54 深圳市港禾科技有限公司 企业号
### 产品简介09N70I-A-VB 是一款单路 N 沟道 MOSFET,采用了平面工艺(Plannar Technology)。它具有650V 的漏极-源极电压(VDS),30V 的门极-源极
2024-07-04 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号
Weinschel by Spectrum Control的152T-70是一款射频可变衰减器,频率0至26500 MHz,衰减范围0至63.75 dB,功率100 W,插入损耗1.5至1.90
2024-02-18 21:33 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
HMC311SC70(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器,工作频率范围为DC至8 GHz。 此款放大器采用业界标准SC70封装,可用作级联50
2022-11-21 17:54 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
Weinschel by Spectrum Control的150-70是一款射频可变衰减器,频率0至18000 MHz,衰减范围0至70 dB,功率100 W,插入损耗0.9至2.98 dB。标签
2024-02-18 16:08 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
SMA70-1 可级联、低噪声、Hi Dyn RgeSMA70-1 射频放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内
2023-03-22 15:54 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
SMA70 可级联、低噪声、Hi Dyn RgeSMA70 射频放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人
2023-03-21 17:29 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
A70-1 可级联、低噪声、Hi Dyn RgeA70-1 射频放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人
2023-03-16 13:54 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号