### 产品简介VBsemi的11N6-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SOT89封装,具有60V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),1.7V的阈值电压(Vth
2024-07-05 14:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、80N6F6-VB 产品简介80N6F6-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。它具有高电流承载能力和低导通电阻,在中等电压
2024-11-21 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、77N6F6-VB 产品简介77N6F6-VB 是一款由 VBsemi 公司推出的高性能单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO-220。该 MOSFET 具有 60V 的漏源极电压
2024-11-20 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**85N6F3-VB**是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(5x6)封装,具备优异的导通特性和高电流处理能力。采用了Trench技术,专为高效能和高可靠性的
2024-11-22 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、80N6F6-VB TO220 产品简介80N6F6-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,封装形式为TO220。具有60V的耐压能力和极低的导通电阻,适合于高功率
2024-11-21 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 260N6F6-VB 产品简介260N6F6-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET,采用 Trench 技术,封装形式为 TO220。具有较低的导通电阻和高漏极电流承载能力,适用于需要
2024-07-10 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号