应用。### 详细参数说明- **型号**: 6N80L-TF1-T-VB- **封装**: TO220F- **配置**: 单通道 N 型- **漏极-源极电压 (VDS
2024-11-18 16:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AM3902N-T1-PF-VB**是一款高性能的双N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装为紧凑型SOT23-6,适用于空间受限的电子应用。该
2024-11-29 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**85N6F3-VB**是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(5x6)封装,具备优异的导通特性和高电流处理能力。采用了Trench技术,专为高效能和高可靠性的
2024-11-22 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
和可靠性,适合于多种电子设备的功率管理和开关控制。### 2. 参数说明:- **型号:** AM3906N-T1-PF-VB- **封装:** SOT23-6-
2024-11-29 15:23 微碧半导体VBsemi 企业号
通特性和高电流承载能力,适合要求高效率和小型化设计的电子系统。### AM3998N-T1-PF-VB 详细参数说明- **封装**:SOT23-6- **配置*
2024-11-29 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号
1. **产品简介:** AM3444N-T1-PF-VB 是 VBsemi 公司生产的 N-Channel 沟道场效应管,丝印标识为 VB7322。该器件
2024-05-22 16:38 微碧半导体VBsemi 企业号
高性能和紧凑封装的电子设备。### 详细参数说明- **封装类型**: SC70-6- **配置**: 单N沟道- **漏源电压 (VDS)**: 30V- **栅
2024-11-28 16:04 微碧半导体VBsemi 企业号
电子应用场合。其TO263封装适合中大功率电路设计,具有良好的散热性能和可靠性。### 二、详细参数说明- **封装类型**:TO263- **配置**:单N沟道-
2024-07-10 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介VBsemi 6N60Z-VB 是一款单N沟道场效应管,主要设计用于高压应用。它具有高达650V的漏极-源极电压(VDS),适合需要稳定电压和可靠
2024-11-18 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号:6N60L-TF1-T-VB**6N60L-TF1-T-VB 是一款单路N沟道MOSFET,采用TO220F封装,适用于中高压应用场合。该器件具有650V的漏极-源极
2024-11-18 15:43 微碧半导体VBsemi 企业号