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型号：10P<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB TO<b class='flag-s-7'>252</b> 品牌：微碧

### 一、10P6F6-VB 产品简介10P6F6-VB 是由 VBsemi 生产的单 P-沟道 MOSFET，封装类型为 TO252。采用槽沟技术设计，具有较低的导通电阻和较高的耐压，适用于需要

2024-07-05 13:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：120N4<b class='flag-s-7'>F6</b>-VB TO<b class='flag-s-7'>252</b> 品牌：微碧

### 120N4F6-VB TO252 产品简介120N4F6-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO252 封装技术。该器件具有 4

2024-07-05 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：Intel NUC专业机箱<b class='flag-s-7'>元件</b> 品牌：

Intel NUC专业机箱元件英特尔® NUC专业机箱元件是模块化金属机箱，设计用于容纳和运行英特尔NUC计算元器件。该机壳产品有两种设计选择：用于大多数协作环境的基础版本和用于需要更多I/O的视频

2024-02-27 11:55 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：CPJC-<b class='flag-s-7'>6-252</b>R+ 品牌：

 Mini Circuits 的 CPJC-6-252R+ 是一款定向耦合器，频率为 2400 至 2500 MHz，耦合 6.5 dB，耦合变化 ±1 dB，方向性 13.5 至 18

2023-08-30 14:45 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R380C6</b>-VB TO<b class='flag-s-7'>252</b> 品牌：微碧

### 产品简介6R380C6-VB 是一款单路 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于中等功率和中小型电子设备。它具有适中的导通电阻和较低的电流承载能力，适合要求成本效益和空间

2024-11-19 10:06 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R600E6</b>-VB TO<b class='flag-s-7'>252</b> 品牌：微碧

### 产品简介6R600E6-VB 是一款单路 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于中等功率应用。它具有稳定的性能和可靠的电流承载能力，是成本效益高的电子设备和系统的理想选择

2024-11-19 11:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：10P<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 10P6F6-VB 产品简介10P6F6-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。这款MOSFET具有60V的漏源极电压（VDS），能够在低电压环境中操作。其栅极

2024-07-05 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6</b>N60-VB TO<b class='flag-s-7'>252</b> 品牌：微碧

### 6N60-VB MOSFET 产品简介6N60-VB是一款单通道N沟道功率MOSFET，采用TO252封装，由VBsemi采用SJ_Multi-EPI技术制造。这款MOSFET具有高压耐受

2024-11-18 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R600C6</b>-VB TO<b class='flag-s-7'>252</b> 品牌：微碧

### 产品简介：MOSFET型号：6R600C6-VB  封装：TO252  配置：单N沟道  耐压（VDS）：650V  栅极-源极电压（VGS

2024-11-19 10:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：Intel NUC 11计算<b class='flag-s-7'>元件</b>（U系列） 品牌：

Intel NUC 11计算元件（U系列）Intel® NUC 11计算元件（U系列）可搭配各种功能强大的Intel®处理器使用。每个计算元件还提供内存、存储和多个I/O选项，均在一个小型封装中

2024-02-27 11:56 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号