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型号：<b class='flag-s-7'>6R450E6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 1. 产品简介**6R450E6-VB TO220F MOSFET**6R450E6-VB TO220F是一款单

2024-11-19 10:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R160C6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 1. 产品简介VBsemi 6R160C6-VB 是一款单N沟道场效应管，采用了SJ_Multi-EPI技术，专为高性能应用设计。具有高达650V的漏极-源极电压（VDS），适合需要高电流

2024-11-18 17:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：CGH55030<b class='flag-s-7'>F1</b> 品牌：

CGH55030F1/CGH55030P1 是专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得H55030

2022-06-14 11:30 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R190C6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 产品简介6R190C6-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，适合于中高功率和中高压的电力电子应用。它具备较低的导通电阻和高连续漏极电流能力，适用于要求高效能

2024-11-18 17:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R380C6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 1. 产品简介：VBsemi 6R380C6-VB TO220F 是一款单通道 N 型功率 MOSFET，专为高压功率开关应用而设计。具备650V的漏极-源极电压（VDS），以及最大30V

2024-11-19 10:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R380E6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 1. 产品简介6R380E6-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO220F 封装。它具有高达650V的漏极-源极电压（VDS），适合中高压应用。此产品采用

2024-11-19 10:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：10P<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB TO252 品牌：微碧

高性能 P-沟道 MOSFET 的应用。### 二、10P6F6-VB 详细参数说明| 参数        | 数值 &n

2024-07-05 13:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R600P6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

了Plannar技术，具有低导通电阻和良好的热稳定性，适用于工业和消费电子设备中的功率控制和开关应用。### 6R600P6-VB MOSFET 详细参数说明-

2024-11-19 11:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：10P<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 10P6F6-VB 产品简介10P6F6-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。这款MOSFET具有60V的漏源极电压（VDS），能够在低电压环境中操作。其栅极

2024-07-05 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：CGHV96050<b class='flag-s-7'>F1</b> 品牌：

CGHV96050F1 是一种基于碳化硅 (SiC) 衬底的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他技术相比，这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 可提供出色的功率附加效率

2022-06-27 15:56 立年电子科技 企业号