电子发烧友

型号：<b class='flag-s-7'>08N50C3</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 08N50C3-VB 产品简介：08N50C3-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 TO220F。该器件具有高达 650V 的漏极-源极电压（V

2024-07-03 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：100<b class='flag-s-7'>N08N</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

100N08N-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），2.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V

2024-07-04 15:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>08N50C3</b>-VB 品牌：微碧

通电阻（RDS(ON)）为500mΩ，最大漏极电流（ID）为9A。该产品采用SJ_Multi-EPI技术。详细参数说明如下：- 产品型号：08N50C3-VB-

2024-07-03 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：74<b class='flag-s-7'>HC1G08</b>GW-Q100 品牌：

74HC1G08GW-Q100  对上发信息 

2022-04-24 16:07 深圳市锐迅微科技有限公司 企业号

型号：340<b class='flag-s-7'>N08NS3</b>-VB 品牌：微碧

### 340N08NS3-VB MOSFET 产品简介**型号:** 340N08NS3-VB  **封装:** DFN8(5X6)  **配置:** 单N沟道  

2024-11-06 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：ISL<b class='flag-s-7'>9N308AD3</b>-VB 品牌：微碧

型号：ISL9N308AD3-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数说明：- 极性：N沟道- 额定电压：30V- 最大连续漏极电流：60A- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10m

2023-12-14 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：047<b class='flag-s-7'>N08NS3</b>-VB 品牌：微碧

以下是VBsemi公司的MOSFET产品047N08NS3-VB的详细信息：1. 产品简介：  047N08NS3-VB是一款单N沟道（Single-N-Ch

2024-07-02 15:19 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9T15J</b>-VB 品牌：微碧

### 9T15J-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9T15J-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，适用于低电压高电流的应用场合。采用TO251封装，具备30V的漏源极电压额定值

2024-11-27 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SVF<b class='flag-s-7'>9N90F</b> 品牌：

提供SVF9N90F 9a、900v高压mos管n沟道，提供场效应管9n90参数代换，广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动 ，更多

2022-12-21 15:11 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：057<b class='flag-s-7'>N08N</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 产品简介057N08N-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO220F封装，具有80V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3

2024-07-02 17:10 微碧半导体VBsemi 企业号